Programme d’études | English | ||
Dispositifs et technologies électroniques | |||
Unité d’enseignement du programme de Bachelier en sciences de l'ingénieur, orientation ingénieur civil à la Faculté Polytechnique |
Code | Type | Responsable | Coordonnées du service | Enseignant(s) |
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UI-B3-IRCIVI-207-M | UE Obligatoire | DUALIBE Fortunato | F109 - Electronique et Microélectronique |
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Langue d’enseignement | Langue d’évaluation | HT(*) | HTPE(*) | HTPS(*) | HR(*) | HD(*) | Crédits | Pondération | Période d’enseignement |
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| Français | 26 | 22 | 0 | 0 | 0 | 4.00 | 4.00 |
Code(s) d’AA | Activité(s) d’apprentissage (AA) | HT(*) | HTPE(*) | HTPS(*) | HR(*) | HD(*) | Période d’enseignement | Pondération |
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I-SEMI-020 | Dispositifs et technologies électroniques | 26 | 22 | 0 | 0 | 0 | Q2 | 100.00% |
Unité d'enseignement | ||
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UI-B3-IRCIVI-001-M Electronique fonctionnelle |
Objectifs par rapport aux acquis d'apprentissage du programme
Acquis d'apprentissage UE
comprendre les mécanismes de fonctionnement des éléments de base de l’électronique (diode de jonction, transistors MOS et bipolaire,) ; avoir une approche intuitive et mathématique à partir des équations fondamentales de l’électricité et de la mécanique quantique ; identifier les principaux paramètres des dispositifs semi-conducteurs et comprendre leur influence et relations ; réaliser des montages à base de composants discrets et calculer des conditions de fonctionnement en DC et AC avec des composants de base (diosde et transistors); réaliser des schémas électriques et des simulations en utilisant le langage de simulations des circuits électriques Spice ; mettre en pratique des techniques de simplification basées sur la décomposition du problème en circuits linéaires DC et AC permettant le développement des qualités individuelles d’analyse, comprendre le flot de conception des circuits intégrés et les outils CAO pour la microélectronique
Contenu de l'UE
bandes d'énergie ; niveau de Fermi ; conductivité électrique , équations de transport ; génération et recombinaison ; jonction PN à l';équilibre et polarisée ; transistor et capacité MOS ; effets canal court ; Modèles du MOS; transistor bipolaire ; modèle Ebers et Moll ; modèle de transport ; calcul du courant ; modèles grands et petits signaux des dispositifs; montages de base des transistors ; montages de base à deux transistors, miroirs de courant. Dispositifs électroniques avancés. Introduction à la microélectronique: flot de conception de circuits integrés et outils CAO
Compétences préalables
-Unité Champs, Signaux et Systèmes BA2 -Electronique fonctionnelle BA3
Types d'évaluations Q1 pour l'UE
Commentaire sur les évaluations Q1 de l'UE
Sans objet
Types d'évaluations Q2 pour l'UE
Commentaire sur les évaluations Q2 de l'UE
Sans objet
Types d'évaluation Q3 pour l'UE
Commentaire sur les évaluations Q3 de l'UE
Sans objet
Types d'évaluation rattrapage BAB1 (Q1) pour l'UE
Commentaire sur les évaluations rattr. Q1 de l'UE
Sans objet
Types d'activités
AA | Types d'activités |
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I-SEMI-020 |
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Mode d'enseignement
AA | Mode d'enseignement |
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I-SEMI-020 |
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Supports principaux
AA | |
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I-SEMI-020 |
Supports principaux non reproductibles
AA | Supports principaux non reproductibles |
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I-SEMI-020 | Sans objet |
Supports complémentaires
AA | |
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I-SEMI-020 |
Supports complémentaires non reproductibles
AA | Support complémentaires non reproductibles |
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I-SEMI-020 | Sans objet |
Autres références conseillées
AA | Autres références conseillées |
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I-SEMI-020 | Sans objet |
Reports des notes d'AA d'une année à l'autre
AA | Reports des notes d'AA d'une année à l'autre |
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I-SEMI-020 | Autorisé |