Programme d’études 2017-2018English
Dispositifs et technologies électroniques
Unité d’enseignement du programme de Bachelier en sciences de l'ingénieur, orientation ingénieur civil à la Faculté Polytechnique
CodeTypeResponsable Coordonnées
du service
Enseignant(s)
UI-B3-IRCIVI-207-MUE ObligatoireDUALIBE FortunatoF109 - Electronique et Microélectronique

    Langue
    d’enseignement
    Langue
    d’évaluation
    HT(*) HTPE(*) HTPS(*) HR(*) HD(*) CréditsPondération Période
    d’enseignement
      Français00000442e quadrimestre

      Code(s) d’AAActivité(s) d’apprentissage (AA) HT(*) HTPE(*) HTPS(*) HR(*) HD(*) Période
      d’enseignement
      Pondération
      I-SEMI-020100.00%

      Unité d'enseignement
      Corequis

      Objectifs par rapport aux acquis d'apprentissage du programme

      • Mettre en oeuvre une démarche d'ingénieur face à un problème aux contours définis, compte tenu de contraintes techniques, économiques et environnementales.
        • Connaître les étapes d'une démarche d'ingénieur.
        • Concevoir, évaluer et optimiser des solutions répondant au problème posé.
        • Mettre en oeuvre une solution choisie sous la forme d'un dessin, d'un schéma, d'un plan, d'une maquette, d'un prototype, d'un logiciel et/ou d'un modèle numérique.
        • Identifier et acquérir les connaissances et compétences nécessaires à la résolution du problème.
      • Maîtriser les connaissances fondamentales (théoriques et méthodologiques) en sciences et en sciences de l'ingénieur pour résoudre des problèmes impliquant ces disciplines.
        • Identifier, décrire et expliquer les principes de base en sciences de l'ingénieur en particulier dans la dominante.
        • Maîtriser les techniques de laboratoire : expérimentation, mesure, suivi de protocole, sécurité.
      • Maîtriser les bases de la gestion de projet pour réaliser, seul ou en équipe, un projet aux contours définis.
        • Respecter les échéances et le plan de travail.
      • Collaborer, travailler en équipe.
        • Interagir efficacement avec d'autres étudiants pour réaliser un travail commun.
      • Communiquer de manière structurée - oralement et par écrit, en français et en anglais - des informations claires, précises, argumentées.
        • Utiliser plusieurs modes de communication écrite et graphique : texte, tableau, équation, esquisse, plan, graphique, ...
        • Faire un exposé oral efficace, en utilisant de manière pertinente des supports de présentation.
        • Présenter des résultats d'analyse ou d'expérience dans des rapports de laboratoires.
        • Maîtriser la langue anglaise à un niveau " utilisateur indépendant avancé ", équivalent au B2 du CECR
      • Faire preuve de rigueur et d'autonomie dans son parcours de formation.
        • Développer sa curiosité scientifique et son ouverture d'esprit.
        • Maîtriser différents moyens mis à disposition pour se documenter et se former de manière autonome.

      Acquis d'apprentissage UE

      comprendre les mécanismes de fonctionnement des éléments de base de l’électronique (diode de jonction, transistors MOS et bipolaire,) ; avoir une approche intuitive et mathématique à partir des équations fondamentales de l’électricité et de la mécanique quantique ; identifier les principaux paramètres des dispositifs semi-conducteurs et comprendre leur influence et relations ; réaliser des montages à base de composants discrets et calculer des conditions de fonctionnement en DC et AC avec des composants de base (diosde et transistors); réaliser des schémas électriques et des simulations en utilisant le langage de simulations des circuits électriques Spice ; mettre en pratique des techniques de simplification basées sur la décomposition du problème en circuits linéaires DC et AC permettant le développement des qualités individuelles d’analyse, comprendre le flot de conception des circuits intégrés et les outils CAO pour la microélectronique

      Contenu de l'UE

      bandes d'énergie ; niveau de Fermi ; conductivité électrique , équations de transport ; génération et recombinaison ; jonction PN à l';équilibre et polarisée ; transistor et capacité MOS ; effets canal court ; Modèles du MOS; transistor bipolaire ; modèle Ebers et Moll ; modèle de transport ; calcul du courant ; modèles grands et petits signaux des dispositifs; montages de base des transistors ; montages de base à deux transistors, miroirs de courant. Dispositifs électroniques avancés. Introduction à la microélectronique: flot de conception de circuits integrés et outils CAO

      Compétences préalables

      -Unité Champs, Signaux et Systèmes BA2 -Electronique fonctionnelle BA3

      Types d'évaluations Q2 pour l'UE

      • Examen oral
      • Epreuves pratiques
      • Exercice(s) coté(s)

      Commentaire sur les évaluations Q2 de l'UE

      Sans objet

      Types d'évaluation Q3 pour l'UE

      • Examen oral
      • Exercice(s) coté(s)

      Commentaire sur les évaluations Q3 de l'UE

      Sans objet

      Types d'activités

      AA
      I-SEMI-020

      Mode d'enseignement

      AA
      I-SEMI-020

      Supports principaux

      AA
      I-SEMI-020

      Supports principaux non reproductibles

      AA
      I-SEMI-020

      Supports complémentaires

      AA
      I-SEMI-020

      Supports complémentaires non reproductibles

      AA
      I-SEMI-020

      Autres références conseillées

      AA
      I-SEMI-020

      Reports des notes d'AA d'une année à l'autre

      AA
      I-SEMI-020
      (*) HT : Heures théoriques - HTPE : Heures de travaux pratiques encadrés - HTPS : Heures de travaux pratiques supervisés - HD : Heures diverses - HR : Heures de remédiation - Dans la colonne Pér. (Période), A=Année, Q1=1er quadrimestre et Q2=2e quadrimestre
      Date de génération : 17/05/2018
      20, place du Parc, B7000 Mons - Belgique
      Tél: +32 (0)65 373111
      Courriel: info.mons@umons.ac.be